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美迪凯异方性导电膜改良镀膜结构及制备方法,免受外界干扰

天眼查知识产权信息显示,杭州美迪凯光电科技股份有限公司获得了“一种异方性导电膜镀膜结构及其制备方法”的专利,专…

天眼查知识产权信息显示,杭州美迪凯光电科技股份有限公司获得了“一种异方性导电镀膜结构及其制备方法”的专利,专利授权公告号为 CN118064833B,申请日期为 2024 年 4 月。

专利摘要:

美迪凯异方性导电膜改良镀膜结构及制备方法,免受外界干扰

本发明提供了一种异方性导电膜镀膜结构及其制备方法。该膜层由铝层和导电层组成。导电层包含 ITO 膜层、Ag 层、Ti 层、Ni 层或 NiV 层中的一种或几种。铝层与硅晶片接触。

制备方法:

本发明采用蒸镀镀膜方法。将硅晶片放置在蒸镀设备镀膜腔内的镀膜治具上。在 70℃ 条件下对镀膜腔抽真空。将导电层所需的介电质膜材料和/或金属膜材料分别放入相应的蒸发源中。以 1Å/s‑20Å/s 的速率蒸发材料到硅片衬底上,制得镀膜片成品。

优势:

本发明改进后的镀膜结构阻值低,压合过程中电流大,阻值稳定。膜层性能优越,不易脱落,受外界影响小。适用于多种应用场景,市场前景广阔。

来源:本文源自金融界,作者为情报员。

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作者: baixiuhui1

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